Опыты начинались с выращивания монокристаллических плёнок арсенида индия толщиной 10ЂЂЂ100 нм на подложке из антимонида галлия GaSb, покрытой 60-нанометровым слоем Al0,2Ga0,8Sb. Затем на плёнку наносились полосы полиметилметакрилата (PMMA), и путём травления с использованием лимонной кислоты и перекиси водорода учёные формировали наноленты InAs. Для того чтобы перенести их на новое основание, слой Al0,2Ga0,8Sb выборочно вытравливался раствором гидроксида аммония.
Рис. 1.PСхема процесса изготовления транзисторов и изображения массивов нанолент InAs на Si/SiO2-подложке, помещённых под атомно-силовой микроскоп. Справа внизу показано размещение нанолент в два слоя толщиной в 18Pи 48Pнм. (Иллюстрация из журнала Nature).
К сожалению, вырастить на кремнии слой составного полупроводника очень сложно, поскольку кристаллические структуры двух материалов сильно различаются. Авторы выбрали другой вариант схемы изготовления, в котором на подложку переносятся готовые образцыPInAs.
Предложенная методика позволяет получить высокую подвижность носителей заряда, характерную для полупроводников группы III-V, с применением малозатратной и прекрасно отработанной кремниевой технологии производства. Помимо арсенида индия, в группу III-V (цифры здесь обозначают положение компонентов полупроводника в периодической системе) входят, к примеру, нитрид алюминия, арсенид галлия и фосфидPиндия.
Инженеры из США и Тайваня сконструировали качественные полевые транзисторы на основе составного полупроводника, арсенида индия InAs, размещённого на кремниевой подложке.
Опубликовано ssu-filippov в 22 ноября, 2010 - 03:46
» Предложена методика изготовления транзисторов со сверхтонкими слоями составных полупроводников
Предложена методика изготовления транзисторов со сверхтонкими слоями составных полупроводников | Нанотехнологии Nanonewsnet
Комментариев нет:
Отправить комментарий